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通过精确控制层间扭曲角，市构实现可以利用在实空间中固有地局限于纳米尺度区域平带，调整外层电荷转移反应的速率常数。由此，位服务服务可代替难以控制的外来引入掺杂剂，或者晶体结构缺陷。
共享团队报道了莫尔平坦带的扭曲双层石墨烯的可调角度相关电化学研究。图文介绍图1.转角双层石墨烯moiré超晶格及其电化学响应©2022SpringerNaturea.三种叠加结构(AA,AB/BA和SP)的示意图b.TBG超晶格的微布里渊区c,d.计算出1.1°TBG的moiré带(c)和相应的DOS(d)e.TBG/hBN异质结的光学图像f.1.15°TBG恒流STM图像g.TBG表面的局部循环伏安测量原理图h.稳态伏安曲线图2.量化TBG界面电子转移中的量子电容效应©2022SpringerNaturea.电极-电解质界面示意图b.在不同的扭转角度下Cq与化学势(Vq)的关系c.不同扭转角度下双层上的电势降(Vdl)与外加电势(Vapp)的关系d.电极DOS和Vdl和Vq相对贡献的界面电荷转移的能量图图3.moiré角与电子输运速率的相关性©2022SpringerNaturea.TBG的恒流STM图像b.稳态伏安曲线c.用Gerischer-Marcus(GM)框架计算不同θm时的kred与Vapp的关系d.从实验伏安图中提取的标准速率常数(k0)与扭角的关系图4.TBGmoiré晶胞内的理论电子输运动力学©2022SpringerNaturea,b.计算θm =1.1°(a)和3.0°(b)时TBG中AA、体系AB/BA和SP的LDOS与能量的关系c.计算TBG的LDOS、体系Vdl和kred的实空间映射图5.TBG-AA区晶格弛豫和电子输运动力学的异常增强©2022SpringerNaturea.AA位点的实验局域k0随θm的变化b.晶格弛豫过程的示意图小结该项研究展示了，扭曲双层石墨烯TBG的界面电子转移行为，除了低温相关电子相之外，范德华异质结vDW结构中莫尔Moiré衍生平带，提供了独特可调材料平台，以系统地操纵和从根本上探测在明确定义表面上的界面电荷转移和（电）化学转变。除了承载低温相关的电子物理特性，政务这些拓扑缺陷在概念上类似于结构原子缺陷，它们产生的局域态可以影响界面电荷转移化学。
关于转角石墨烯(TBG)以及转角过渡金属化合物的研究表明，便利这些平坦带产生了一系列相互缠绕的相关电子相，便利包括相关的绝缘态，非常规超导性和轨道磁性。虽然有少数研究质疑层间扭转对化学反应性的影响，可及但这些实验都被限制在大扭转角(≥7°)之外的平坦带和魔术角区
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